Teil der Reihe: Engineering (R0)
CMOS Plasma and Process Damage
Inhaltsangabe
Chapter 1. BACKGROUND.- Chapter 2. THE ANTENNA EFFECT.- Chapter 3. DIODE AND TRANSISTOR PROTECTION.- Chapter 4. SIGNATURES OF PROCESS DAMAGE.- Chapter 5. ELECTRICAL SIGNATURES OF PROCESS DAMAGE.- Chapter 6. LATENT DAMAGE AND RELIABILITY DEGRADATION.- Chapter 7. ATOMIC-LEVEL DEFECTS AND ELECTRICAL EFFECTS.- Chapter 8. TECHNOLOGY SPECIFIC PROCESS DAMAGE.- Chapter 9. COMMON SOURCES OF PROCESS DAMAGE.- Chapter 10. INLINE PROCESS DAMAGE MEASUREMENTS.- Chapter 11. PROCESS DAMAGE TEST STRUCTURES.- Chapter 12. DESIGN RULES RELATED TO PROCESS DAMAGE .- Chapter 13. PARAMETRIC DAMAGE TESTING STRATEGY AND PROCEDURES.- Chapter 14. THE ROLE OF HYDROGEN.- Chapter 15. METALLIC DEFECTS.- Chapter 16. MOBILE ION CONTAMINATION.- Chapter 17. FIXED CHARGE.
Produktdetails
- Erscheinungsdatum: 16.05.2025
- Autor/Autorin: Kirk Prall
- Reihe: Engineering (R0)
- Format: E-Book
- Dateiformat: PDF
- Kopierschutz: Wasserzeichen
- Dateigröße: 74.4 MB
- Verlag: SPRINGER
- Sprache: Englisch
- Umfang: 500 Seiten
- ISBN: 9783031890291
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- Kompatibilität: Lesbar auf Geräten und Apps mit PDF-Unterstützung.
Herstellerinformationen
Email: ProductSafety@springernature.com
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