Teil der Reihe: Energy (R0)
Silicon Carbide Power Devices
Characteristics, Test and Application
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Inhaltsangabe
Fundamentals of Power Semiconductor Devices.- SiC Diode Main Characteristics.- Interpretation, Testing, and Application of SiC MOSFET Parameters.- Comparison of SiC and Si Device Characteristics.- Double-Pulse Test.- SiC Device Testing and Failure Analysis Techniques.- High di/dt Effects and Countermeasures - Turn-off Voltage Overshoot.- Effects and Mitigation of High dv/dt - Crosstalk.- Impact and Countermeasures of High dv/dt - Common Mode Current.- Effects and Countermeasures of Common Source Inductance.- Drive Circuit.- Main Applications of SiC Devices.
Produktdetails
- Erscheinungsdatum: 31.08.2025
- Autor/Autorin: Yuan Gao,Yan Zhang
- Reihe: Energy (R0)
- Format: E-Book
- Dateiformat: PDF
- Kopierschutz: Wasserzeichen
- Dateigröße: 200.4 MB
- Verlag: SPRINGER
- Sprache: Englisch
- Umfang: 350 Seiten
- ISBN: 9789819634804
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- Kompatibilität: Lesbar auf Geräten und Apps mit PDF-Unterstützung.
Herstellerinformationen
Springer Nature Customer Service Center GmbH
Email: ProductSafety@springernature.com
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Silicon Carbide Power Devices
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